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19974831731该器件具有极低的输入基极分布电阻(rbb典型值为28 Ω)和高电流增益(IC= 1 mA时，hFE典型值超过600)，可以实现卓越的信噪比。与采用市面上现有的单芯片放大器相比，它拥有卓越的性能。
亚德诺半导体 SSM2212 是一款双通道 NPN 匹配晶体管对，专门针对超低噪声音频系统而设计。
SSM2212 具有极低的输入基极分布电阻（rbb 典型值为 28Ω）和高电流增益（IC= 1mA 时， hFE 典型值超过 600） 实现卓越的信噪比。高电流增益使其与采用市面上现有的单芯片放大器的系统相比，拥有卓越的性能。
基极发射极结点处的保护二极管可以保证匹配参数的稳定性。这些二极管能够防止基极-发射极结点反向偏置导致 β 和匹配特性下降。
SSM2212 还是可靠的精密电流偏置和镜像电路的理想选择。此外，当晶体管对之间的 VBE 不匹配时，电流镜的精度会呈指数级下降，因此，在多数电路应用中，SSM2212 的低 VOS 无需进行失调调整。
SSM2212解决方案：
电流增益的匹配(ΔhFE约为0.5%)且VOS低于50 μV(典型值)，这些性能使它成为对称平衡设计的理想选择，可抑制高阶放大器谐波失真。
基极发射极结点处的保护二极管可以保证匹配参数的稳定性。这些二极管能够防止基极-发射极结点反向偏置导致β和匹配特性下降。
TSSM2212同时也是可靠的精密电流偏置和镜像电路的理想选择。另外，由于晶体管对之间的VBE不匹配时，电流镜的精度会呈指数级下降，因此，在多数电路应用中，SSM2212的低VOS无需进行失调调整。SSM2212可在-40oC至85oC的扩展温度范围内保证实现其出色的性能和额定特性。
优势和特点：
极低电压噪声：1nV/√Hz(最大值，100Hz)
出色的电流增益匹配： 0.5%
低失调电压(VOS)：200 μV(最大值)
出色的失调电压漂移：0.03μV/oC
高增益带宽积：200MHz。
